EŞİKALTI FGMOS TRANSİSTORLAR KULLANILARAK DÜŞÜK GERİLİM VE DÜŞÜK GÜÇTE ÇALIŞAN NÖRON DEVRESİ TASARIMI


Makale AdıEŞİKALTI FGMOS TRANSİSTORLAR KULLANILARAK DÜŞÜK GERİLİM VE DÜŞÜK GÜÇTE ÇALIŞAN NÖRON DEVRESİ TASARIMI
YazarlarFATİH KELEŞ, TÜLAY YILDIRIM
Anahtar kelimelerNöron devresi , eşikaltı , FGMOS transistor , düşük gerilim , düşük güç , yapay sinir ağı , donanım gerçeklemeleri.
Makale ÖzetiBu çalışmada, eşikaltı bölgesinde çalışan yüzer geçitli MOS (FGMOS) transistorlar kullanılmasıyla düşük gerilimde çalışan ve az güç tüketen analog yapay sinir ağı (YSA) devre bloklarının tasarımı yapılmış ve bir nöron devresi gerçeklenmiştir. Dört bölgeli akım çarpıcı ve FGMOS tabanlı farksal çift devreleri TSMC 0.35m proses parametreleri kullanılarak CADENCE programında tasarlanmış ve benzetimi yapılmıştır.
English Keywords Neuron circuits , subthreshold , FGMOS transistors , low voltage , low power , neural network , hardware implementations.
Article Summary in English In this work, design of low-voltage low-power analog artificial neural network (ANN) circuit blocks by using subthreshold floating-gate MOS (FGMOS) transistors and a neuron circuit is implemented. The circuit blocks, four-quadrant analog current multiplier and FGMOS based differential pair, have been designed and simulated in CADENCE environment with TSMC 0.35m process parameters.
Makale Dosyası İndirMakale Tam Metni

Games likegold miner games and game for mobile gamikro games to people around the world.