Makale işlemleri

E-Journal

Sigma Dergisi

Makale Detayları

Makale Adı SiO2 MATRİS İÇERİSİNE İYON EKME YÖNTEMİYLE YERLEŞTİRİLMİŞ Si VE Ge NANOKRİSTALLERİNİN YAPISAL VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ

Yazarlar Raşit TURAN, Uğur SERINCAN, Giray KARTOPU, Terje G. FINSTAD

Anahtar kelimeler Yarıiletken nanokristaller, iyon ekme, SiO2.

Makale Özeti Son yıllarda, SiO2 matris içerisine ekilmiş katkı atomları yüksek sıcaklıklarda fırınlandıklarında nanometre boyutunda kristal adacıklar oluşturdukları gösterilmiştir. Bu nanoyapıların ilgi çekici elektrik ve optik özelliklere sahip olması beklenmektedir ve böylece bu yapılar opto- ve mikro-elektronik aygıt yapımında değerlendirilebileceklerdir. Bu çalışmada, SiO2 matris içinde iyon ekme ve takiben fırınlama yöntemiyle oluşturulan Ge ve Si nanokristallerinin özellikleri geniş çaplı çalışılmıştır. Ge nanokristallerinin oluşumu Raman spektroskopisi ve Geçirgenli Elektron Mikroskobu (TEM) yöntemleriyle çalışılmıştır. Ge adacıkları ve onların belirgin küresel şekilleri TEM yöntemiyle gözlenmiştir. Fırınlama süresi ve sıcaklığı gibi üretim koşullarının etkileri çalışılmıştır. Ge nanokristallerinin oluşum aşaması Raman spektroskopisi kullanılarak açık bir şekilde görüntülenmiş ve modellenmiştir. Si ve Ge nanokristallerinin oluşum aşamasında, SiO2 matrisin yapısal değişmeleri FTIR spektroskopisiyle incelenmiştir. Si nanokristalleri fotoluminesans yöntemiyle çalışılmıştır. Sarı-turuncu ve yakın-kızılötesi bölgelerinde iki geniş ışıma tepesi kayıt edilmiştir. Bu tepelerin şiddetlerinin fırınlama süresi ve sıcaklığına bağlı olduğu gösterilmiştir. Bu tepelerden birincisi kusurlara veya zincir benzeri Si oluşumlarına, ikincisi ise nanokristallere atfedilmiştir.

Makale İngilizce Özet

Keywords Semiconductor nanocrystals, ion implantation, SiO2.

Makale Dosyası İndirMakale Tam Metni